【物理】半导体物理 西安电子科技大学 柴常春等主讲_哔哩哔哩_bilibili
- 1.0.1化学键性质与相应的晶体结构（I）(Av970625777,P1)
- 10.0.10砷化镓晶体的极性3(Av970625777,P10)
- 11.1.1半导体中的电子状态与能带(1)--1(Av970625777,P11)
- 12.1.1半导体中的电子状态与能带(1)--2(Av970625777,P12)
- 13.1.1半导体中的电子状态与能带(2)--1(Av970625777,P13)
- 14.1.1半导体中的电子状态与能带(2)--2(Av970625777,P14)
- 15.1.1半导体中的电子状态与能带(3)--1(Av970625777,P15)
- 16.1.1半导体中的电子状态与能带(3)--2(Av970625777,P16)
- 17.1.2半导体中电子的运动 有效质量1(Av970625777,P17)
- 18.1.2半导体中电子的运动 有效质量2(Av970625777,P18)
- 19.1.3本征半导体的导电机制 空穴1(Av970625777,P19)
- 2.0.2化学键性质与相应的晶体结构（II）(Av970625777,P2)
- 20.1.3本征半导体的导电机制 空穴2(Av970625777,P20)
- 21.1.4回旋共振（2）1(Av970625777,P21)
- 22.1.4回旋共振（2）2(Av970625777,P22)
- 23.1.5Si和Ge的导带结构1(Av970625777,P23)
- 24.1.5Si和Ge的导带结构2(Av970625777,P24)
- 25.1.6III-V族化合物半导体的能带结构1(Av970625777,P25)
- 26.1.6III-V族化合物半导体的能带结构2(Av970625777,P26)
- 27.2.1Si和Ge中的杂质能级（III）1(Av970625777,P27)
- 28.2.1Si和Ge中的杂质能级（III）2(Av970625777,P28)
- 29.2.1Si和Ge中的杂质能级1(Av970625777,P29)
- 3.0.3化学键性质与相应的晶体结构（III）(Av970625777,P3)
- 30.2.1Si和Ge中的杂质能级2(Av970625777,P30)
- 31.2.2III-V族化合物半导体中的杂质和缺陷能级(Av970625777,P31)
- 32.2.3缺陷 位错能级(Av970625777,P32)
- 33.3.1状态密度1(Av970625777,P33)
- 34.3.1状态密度2(Av970625777,P34)
- 35.3.2费米能级1(Av970625777,P35)
- 36.3.2费米能级2(Av970625777,P36)
- 37.3.4杂质半导体中的载流子浓度1(Av970625777,P37)
- 38.3.4杂质半导体中的载流子浓度2(Av970625777,P38)
- 39.5.7载流子的漂移运动 爱因斯坦关系(Av970625777,P39)
- 4.0.4化学键性质与相应的晶体结构（IV）(Av970625777,P4)
- 40.预备性知识1(Av970625777,P40)
- 41.预备性知识2(Av970625777,P41)
- 42.预备性知识3(Av970625777,P42)
- 43.预备性知识4(Av970625777,P43)
- 44.预备性知识5(Av970625777,P44)
- 45.预备性知识6(Av970625777,P45)
- 46.预备性知识7(Av970625777,P46)
- 47.预备性知识8(Av970625777,P47)
- 48.7.1金属与半导体接触及其能带图1(Av970625777,P48)
- 49.7.1金属与半导体接触及其能带图2(Av970625777,P49)
- 5.0.5金刚石结构的各向异性（I）(Av970625777,P5)
- 50.7.2金属半导体整流理论1(Av970625777,P50)
- 51.7.2金属半导体整流理论2(Av970625777,P51)
- 52.7.3少数载流子注入和欧姆接触1(Av970625777,P52)
- 53.7.3少数载流子注入和欧姆接触2(Av970625777,P53)
- 54.8.2表面电场效应1(Av970625777,P54)
- 55.8.2表面电场效应2(Av970625777,P55)
- 56.8.3MIS结构的电容-电压特性(Av970625777,P56)
- 57.8.4Si-SiO2系统的性质(Av970625777,P57)
- 58.8.5表面电导及迁移率(Av970625777,P58)
- 59.8.6表面电场对PN结特性的影响1(Av970625777,P59)
- 6.0.6金刚石结构的各向异性（II）(Av970625777,P6)
- 60.8.6表面电场对PN结特性的影响2(Av970625777,P60)
- 61.9.1异质结及其能带图(Av970625777,P61)
- 62.9.2异质结的电流输运机构1(Av970625777,P62)
- 63.9.2异质结的电流输运机构2(Av970625777,P63)
- 64.9.3异质结在器件中的应用(Av970625777,P64)
- 65.9.4半导体超晶格(Av970625777,P65)
- 66.10.1半导体的光学常数(Av970625777,P66)
- 67.10.2 半导体的光吸收1(Av970625777,P67)
- 68.10.2 半导体的光吸收2(Av970625777,P68)
- 69.10.2 半导体的光吸收3(Av970625777,P69)
- 7.0.7金刚石结构的各向异性（III）(Av970625777,P7)
- 70.10.3半导体的光电导1(Av970625777,P70)
- 71.10.3半导体的光电导2(Av970625777,P71)
- 72.10.4 半导体的光生伏特效应(Av970625777,P72)
- 73.10.5半导体发光1(Av970625777,P73)
- 74.10.5半导体发光2(Av970625777,P74)
- 75.10.6半导体激光1(Av970625777,P75)
- 76.10.6半导体激光2(Av970625777,P76)
- 77.10.7半导体光电探测器(Av970625777,P77)
- 78.11.0半导体的热点性质(Av970625777,P78)
- 79.12.1霍尔效应1(Av970625777,P79)
- 8.0.8砷化镓晶体的极性1(Av970625777,P8)
- 80.12.1霍尔效应2(Av970625777,P80)
- 81.12.2磁阻效应1(Av970625777,P81)
- 82.12.2磁阻效应2(Av970625777,P82)
- 83.12.5热磁效应(Av970625777,P83)
- 84.12.6光电磁效应1(Av970625777,P84)
- 85.12.6光电磁效应2(Av970625777,P85)
- 86.12.7压阻效应(Av970625777,P86)
- 9.0.9砷化镓晶体的极性2(Av970625777,P9)
